SA741 Datasheet
Название:SA741
Информация:35 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SA741.PDF (0Kb)

SA741 datasheet

SA741 Datasheet

Скачать документацию на SA741