SH702 Datasheet
Название:SH702
Информация:90 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SH702.PDF (0Kb)

SH702 datasheet

SH702 Datasheet

Скачать документацию на SH702