SH703 Datasheet
Название:SH703
Информация:130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SH703.PDF (0Kb)

SH703 datasheet

SH703 Datasheet

Скачать документацию на SH703