SK703 Datasheet
Название:SK703
Информация:120 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SK703.PDF (0Kb)

SK703 datasheet

SK703 Datasheet

Скачать документацию на SK703