SP201 Datasheet
Название:SP201
Информация:4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:SP201.PDF (0Kb)

SP201 datasheet

SP201 Datasheet

Скачать документацию на SP201