SP702 Datasheet
Название:SP702
Информация:40 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:SP702.PDF (0Kb)

SP702 datasheet

SP702 Datasheet

Скачать документацию на SP702