SQ201 Datasheet
Название:SQ201
Информация:8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SQ201.PDF (0Kb)

SQ201 datasheet

SQ201 Datasheet

Скачать документацию на SQ201