SQ202 Datasheet
Название:SQ202
Информация:10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SQ202.PDF (0Kb)

SQ202 datasheet

SQ202 Datasheet

Скачать документацию на SQ202