SQ701 Datasheet
Название:SQ701
Информация:45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SQ701.PDF (0Kb)

SQ701 datasheet

SQ701 Datasheet

Скачать документацию на SQ701