SQ721 Datasheet
Название:SQ721
Информация:25 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SQ721.PDF (0Kb)

SQ721 datasheet

SQ721 Datasheet

Скачать документацию на SQ721