SQ741 Datasheet
Название:SQ741
Информация:50 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SQ741.PDF (0Kb)

SQ741 datasheet

SQ741 Datasheet

Скачать документацию на SQ741