SQ742 Datasheet
Название:SQ742
Информация:90 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SQ742.PDF (0Kb)

SQ742 datasheet

SQ742 Datasheet

Скачать документацию на SQ742