SR706 Datasheet
Название:SR706
Информация:300 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:SR706.PDF (0Kb)

SR706 datasheet

SR706 Datasheet

Скачать документацию на SR706