LX802 Datasheet
Название:LX802
Информация:30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:LX802.PDF (0Kb)

LX802 datasheet

LX802 Datasheet

Скачать документацию на LX802