LK802 Datasheet
Название:LK802
Информация:45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:LK802.PDF (0Kb)

LK802 datasheet

LK802 Datasheet

Скачать документацию на LK802