LK822 Datasheet
Название:LK822
Информация:40 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:LK822.PDF (0Kb)

LK822 datasheet

LK822 Datasheet

Скачать документацию на LK822