PHB10N40E Datasheet
Название:PHB10N40E
Информация:400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Производитель:Philips Semiconductors
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:SOT
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:PHB10N40E.PDF (0Kb)

PHB10N40E datasheet

PHB10N40E Datasheet

Скачать документацию на PHB10N40E