PHB2N60E Datasheet
Название:PHB2N60E
Информация:600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Производитель:Philips Semiconductors
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:SOT
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:PHB2N60E.PDF (0Kb)

PHB2N60E datasheet

PHB2N60E Datasheet

Скачать документацию на PHB2N60E