PHB3N40E Datasheet

Название:PHB3N40E
Информация:400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Производитель:Philips Semiconductors
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:SOT
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:PHB3N40E.PDF (0Kb)

PHB3N40E datasheet

PHB3N40E Datasheet

Скачать документацию на PHB3N40E