PHB6N50E Datasheet
Название:PHB6N50E
Информация:500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Производитель:Philips Semiconductors
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:SOT
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:PHB6N50E.PDF (0Kb)

PHB6N50E datasheet

PHB6N50E Datasheet

Скачать документацию на PHB6N50E