BUK475-200B datasheet: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 7 A.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

BUK475-200B Datasheet
Название:	BUK475-200B
Информация:	PowerMOS transistor. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 7 A.
Производитель:	Philips Semiconductors
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 150
Корпус:	SOT186A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	BUK475-200B.PDF (0Kb)

BUK475-200B Datasheet