BUK555-100B datasheet: PowerMOS transistor logic level FET, drain-source voltage=100V, drain current=22A, drain-source on-state resistance=0.11 Ohm- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

BUK555-100B Datasheet
Название:	BUK555-100B
Информация:	PowerMOS transistor logic level FET, drain-source voltage=100V, drain current=22A, drain-source on-state resistance=0.11 Ohm
Производитель:	Philips Semiconductors
Темп. режим:	Min: -55 \| Max: 175
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	BUK555-100B.PDF (0Kb)

BUK555-100B Datasheet