BUK555-100B datasheet: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 22 A.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

BUK555-100B Datasheet
Название:	BUK555-100B
Информация:	PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 22 A.
Производитель:	Philips Semiconductors
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 175
Корпус:	TO220AB
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	BUK555-100B.PDF (0Kb)

BUK555-100B Datasheet