BUK555-200B datasheet: PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

BUK555-200B Datasheet
Название:	BUK555-200B
Информация:	PowerMOS transistor. Logic level FET. Drain-source voltage 200 V. Drain current(DC) 13 A.
Производитель:	Philips Semiconductors
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 175
Корпус:	TO220AB
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	BUK555-200B.PDF (0Kb)

BUK555-200B Datasheet