PNP10N10E datasheet: PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 11 A.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

PNP10N10E Datasheet
Название:	PNP10N10E
Информация:	PowerMOS transistor. Drain-source voltage 100 V. Drain current(DC) 11 A.
Производитель:	Philips Semiconductors
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 175
Корпус:	TO220AB
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	PNP10N10E.PDF (0Kb)

PNP10N10E Datasheet