STH4N90 datasheet: Power dissipation 125 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 4.2 A Current Idm pulse 16 A Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 900 V Resistance Rds on 3.2 R Temperature current 25 ?C- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

STH4N90 Datasheet
Название:	STH4N90
Информация:	Power dissipation 125 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 4.2 A Current Idm pulse 16 A Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 900 V Resistance Rds on 3.2 R Temperature current 25 ?C
Производитель:	SGS-Thomson Microelectronics
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	-
Скачать Datasheet:	STH4N90.PDF (0Kb)

STH4N90 Datasheet