STH60N10 datasheet: Power dissipation 200 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 60 A Current Idm pulse 240 A Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 100 V Resistance Rds on 0.025 R Temperature current 25 ?C- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

STH60N10 Datasheet
Название:	STH60N10
Информация:	Power dissipation 200 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 60 A Current Idm pulse 240 A Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 100 V Resistance Rds on 0.025 R Temperature current 25 ?C
Производитель:	SGS-Thomson Microelectronics
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	-
Скачать Datasheet:	STH60N10.PDF (0Kb)

STH60N10 Datasheet