STH8N80FI datasheet: Power dissipation 70 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 5.1 A Current Idm pulse 35 A Voltage isolation 4 kV Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 800 V Resistance Rds on 1.2 R- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

STH8N80FI Datasheet
Название:	STH8N80FI
Информация:	Power dissipation 70 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 5.1 A Current Idm pulse 35 A Voltage isolation 4 kV Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 800 V Resistance Rds on 1.2 R
Производитель:	SGS-Thomson Microelectronics
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	-
Скачать Datasheet:	STH8N80FI.PDF (0Kb)

STH8N80FI Datasheet