K4E151612D-T datasheet: 1M x 16 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 1K refresh cycle.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

K4E151612D-T Datasheet
Название:	K4E151612D-T
Информация:	1M x 16 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 3.3V, 1K refresh cycle.
Производитель:	Samsung Electronic
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 70
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	44
Скачать Datasheet:	K4E151612D-T.PDF (0Kb)

K4E151612D-T Datasheet