K4E160811D-B datasheet: 2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

K4E160811D-B Datasheet
Название:	K4E160811D-B
Информация:	2M x 8 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. Supply voltage 5V, 2K refresh cycle.
Производитель:	Samsung Electronic
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 70
Корпус:	SOJ
Кол-во выводов:	28
Скачать Datasheet:	K4E160811D-B.PDF (0Kb)

K4E160811D-B Datasheet