K4R271669B-NCK8 datasheet: 256K x 16 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 800 MHz- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

K4R271669B-NCK8 Datasheet
Название:	K4R271669B-NCK8
Информация:	256K x 16 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 800 MHz
Производитель:	Samsung Electronic
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 100
Корпус:	microBGA(normal CSP)
Кол-во выводов:	54
Скачать Datasheet:	K4R271669B-NCK8.PDF (0Kb)

K4R271669B-NCK8 Datasheet