K4R271869B-NCK8 datasheet: 256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 800 MHz.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

K4R271869B-NCK8 Datasheet
Название:	K4R271869B-NCK8
Информация:	256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 800 MHz.
Производитель:	Samsung Electronic
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 100
Корпус:	microBGA(mirrored CS
Кол-во выводов:	54
Скачать Datasheet:	K4R271869B-NCK8.PDF (0Kb)

K4R271869B-NCK8 Datasheet