K4R441869AN-CG6 datasheet: 256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq. 600 MHz.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

K4R441869AN-CG6 Datasheet
Название:	K4R441869AN-CG6
Информация:	256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq. 600 MHz.
Производитель:	Samsung Electronic
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 70
Корпус:	microBGA(normal CSP)
Кол-во выводов:	62
Скачать Datasheet:	K4R441869AN-CG6.PDF (0Kb)

K4R441869AN-CG6 Datasheet