KM416S8030BT-G-F10 datasheet: 2M x 16bit x 4 banks synchronous DRAM LVTTL. 128 Mbit SDRAM. Max freq. 66 MHz (CL=2&3)- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

KM416S8030BT-G-F10 Datasheet
Название:	KM416S8030BT-G-F10
Информация:	2M x 16bit x 4 banks synchronous DRAM LVTTL. 128 Mbit SDRAM. Max freq. 66 MHz (CL=2&3)
Производитель:	Samsung Electronic
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 70
Корпус:	TSOP (II)
Кол-во выводов:	54
Скачать Datasheet:	KM416S8030BT-G-F10.PDF (0Kb)

KM416S8030BT-G-F10 Datasheet