BULD25DR Datasheet
Название:BULD25DR
Информация:600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
Производитель:TEL
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:BULD25DR.PDF (0Kb)

BULD25DR datasheet

BULD25DR Datasheet

Скачать документацию на BULD25DR