2N6517 datasheet: High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 350V. Collector-base voltage: Vcbo = 350V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

2N6517 Datasheet
Название:	2N6517
Информация:	High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 350V. Collector-base voltage: Vcbo = 350V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.
Производитель:	USHA
Темп. режим:	Min: 0 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	2N6517.PDF (0Kb)

2N6517 Datasheet