TIP35C datasheet: NPN, silicon high-power transistor. Designed for use in general-purpose switching and power amplifier applications. Vceo = 100Vdc, Vcb = 100Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 25Adc, PD = 125W.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

TIP35C Datasheet
Название:	TIP35C
Информация:	NPN, silicon high-power transistor. Designed for use in general-purpose switching and power amplifier applications. Vceo = 100Vdc, Vcb = 100Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 25Adc, PD = 125W.
Производитель:	USHA
Темп. режим:	Min: -65 \| Max: 150
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	TIP35C.PDF (0Kb)

TIP35C Datasheet