BUT11 datasheet: NPN silicon transistor. High voltage power switcing applications. Collector-base voltage 850V. Collector-emitter voltage 400V. Emitter-base voltage 9V.- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

BUT11 Datasheet
Название:	BUT11
Информация:	NPN silicon transistor. High voltage power switcing applications. Collector-base voltage 850V. Collector-emitter voltage 400V. Emitter-base voltage 9V.
Производитель:	Wing Shing Electronic Co. - manufacturer of power semiconductors
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	BUT11.PDF (0Kb)

BUT11 Datasheet