WMBT3906 datasheet: PNP epitaxial silicon high voltage transistor Power dissipation 225mW. Collector current(max) 0.2A- документация на электронные компоненты ChipManual.ru

WMBT3906 Datasheet
Название:	WMBT3906
Информация:	PNP epitaxial silicon high voltage transistor Power dissipation 225mW. Collector current(max) 0.2A
Производитель:	Wing Shing Electronic Co. - manufacturer of power semiconductors
Темп. режим:	Min: - \| Max: -
Корпус:	N/A
Кол-во выводов:	3
Скачать Datasheet:	WMBT3906.PDF (0Kb)

WMBT3906 Datasheet