1N5381B - Glass passivated junction silicon zener diode. Power 5.0 Watt. Vz @ Izt = 130V, Izt =10mA

1N5381B Datasheet
Название:1N5381B
Информация:Glass passivated junction silicon zener diode. Power 5.0 Watt. Vz @ Izt = 130V, Izt =10mA
Производитель:PAJIT
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
1N5381B.PDF