BC261 - 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor

BC261 Datasheet
Название:BC261
Информация:360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
Производитель:ME
Темп. режим:Min: -65 | Max: 200
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
BC261.PDF