BD242B - 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor

BD242B Datasheet
Название:BD242B
Информация:4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
Производитель:ME
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
BD242B.PDF