BUL52B - Advanced distributed base design high voltage high speed NPN silicon power transistor. Designed for use in electronic ballast applications.

BUL52B Datasheet
Название:BUL52B
Информация:Advanced distributed base design high voltage high speed NPN silicon power transistor. Designed for use in electronic ballast applications.
Производитель:MGNTC
Темп. режим:Min: 0 | Max: 150
Корпус:TO220
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
BUL52B.PDF