BUZ900DP - N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 160V.

BUZ900DP Datasheet
Название:BUZ900DP
Информация:N-channel power MOSFET. Power MOSFETs for audio applications. Drain - source voltage 160V.
Производитель:MGNTC
Темп. режим:Min: 0 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:3
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
BUZ900DP.PDF