F1018 - Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1018 Datasheet
Название:F1018
Информация:Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:8
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
F1018.PDF