F1070 - 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1070 Datasheet
Название:F1070
Информация:200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:4
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
F1070.PDF