F1206 - 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1206 Datasheet
Название:F1206
Информация:8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
F1206.PDF