F1222 - 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1222 Datasheet
Название:F1222
Информация:20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
F1222.PDF