F2012 - 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2012 Datasheet
Название:F2012
Информация:10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель:POFET
Темп. режим:Min: -65 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:2
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
F2012.PDF