IRC640 - HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 18A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 200V. Drain-to-source on-resistance 0.18 Ohm

IRC640 Datasheet
Название:IRC640
Информация:HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 18A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 200V. Drain-to-source on-resistance 0.18 Ohm
Производитель:International Rectifier
Темп. режим:Min: -55 | Max: 150
Корпус:N/A
Кол-во выводов:5
Скачать Datasheet:


* для возможности скачать файл введите два слова с картинки в поле выше.
IRC640.PDF